Автор статьи
Валерия
Эксперт по сдаче вступительных испытаний в ВУЗах
- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
- Определить концентрациюnсвободных электронов в металле при температуре Т= 0 К. Энергию Ферми εf принять равной 1 эВ.
- Во сколько раз число свободных электронов, приходящихся на один атом металла приТ= 0, больше в алюминии, чем в меди, если уровни Ферми соответственно равны εf,1 = 11,7 эВ, εf,2 =7,0 эВ?
- Электроны в металле находятся при температуреТ = 0 К. Найти относительное число ΔN/Nсвободных электронов, кинетическая энергия которых отличается от энергии Ферми не более чем на 2 %.
- Собственный полупроводник (германий) имеет при некоторой температуре удельное сопротивление ρ = 0,48 Ом·м. Определить концентрациюnносителей заряда, если подвижности bnи bp электронов и дырок соответственно равны 0,36 и 0,16 м2/(В·с).
- Удельная проводимость γ кремния с примесями равна 112 См/м. Определить подвижность дырокbpи их концентрацию np, если постоянная Холла RH= 3,66 ·10-4 м3/Кл. Принять, что полупроводник обладает только дырочной проводимостью.
- Полупроводник в виде тонкой пластины ширинойl= 1 см и длиной L = 10 см помещен в однородное магнитное поле с индукцией В = 0,2 Тл. Вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости пластины. К концам пластины (по направлению L) приложено постоянное напряжение U = 300 В. Определить холловскую разность потенциалов UH на гранях пластины, если постоянная Холла RH = 0,1 м3/Кл, удельное сопротивление ρ=0,5 Ом·м.
- Тонкая пластина из кремния ширинойl= 2 см помещена перпендикулярно линиям индукции однородного магнитного поля В= 0,5 Тл. При плотности тока j = 2 мкА/мм2, направленного вдоль пластины, холловская разность потенциалов UH оказалась равной 2,8 В. Определить концентрацию n носителей заряда.
О сайте
Ссылка на первоисточник:
http://urpet96.ru
Поделитесь в соцсетях: