Автор статьи
Валерия
Эксперт по сдаче вступительных испытаний в ВУЗах
Задание №1
1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда. 2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К. Данные к расчету Материал – кремний для четных Nж, германий – для нечетных (Nж – номер фамилии студента в журнале группы). Концентрация примеси Nd = Nж 1015 см -3. Глубина залегания примесного уровня Ec-Ed = 0,1 эВ Геометрические размеры L:h:d = 1 см :1 см :0,1 см.Задание №2
1. Провести расчет φk, Is и rб диодов на основе германия и кремния. 2. Рассчитать и построить ВАХ диодов при 300 К с учетом сопротивления базы. Данные к расчету Концентрация атомов акцепторной примеси Nа =1018см –3. Концентрация атомов донорной примеси Nd = Nж 1015 см -3, где Nж – номер фамилии студента в журнале группы. Протяженность (толщина) р+-слоя Wp= 20мкм. Протяженность (толщина) n-базы Wn = 200 мкм. Площадь р-n-перехода S = 0,2 мм2. Время жизни дырок в n-области τр = 100 мкс. Время жизни электронов в р-области τn = 10–9с.Задание № 3
1. Провести расчет основных параметров транзистора: αN, αI, IЭ0, IК0. 2. Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при IЭ = 0; 2 мА; 10 мА. Данные к расчету Тип транзистора p-n-p, материал – кремний. Концентрация атомов примеси в эмиттере Nаэ =1018см –3. Концентрация атомов примеси в базе Ndб = Nж 1015 см -3, где Nж – номер фамилии студента в журнале группы. Концентрация атомов примеси в коллекторе Nак =1017см –3. Протяженность (длина) базы Wб = 10 мкм. Площади р-n-переходов S = 10000 мкм2. Время жизни дырок в базе τрб = 100 мкс. Время жизни электронов в эмиттере τnэ = 10–9с. Время жизни электронов в коллекторе τnк = 5 10–8с.Задание № 4
1. Пользуясь параметрами транзистора, рассчитанными в задании №3, рассчитать входную ВАХ транзистора с ОЭ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при Iб =0; 10 мкА; 50 мкА.Задание № 5
1. Провести расчет основных параметров полевого транзистора: UОТС, R0, IСmax, S (UЗ = 0). 2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ= 0 и UЗ= 0,5UОТС и передаточную ВАХ для области насыщения. Данные к расчету Материал – кремний, тип ПТУП – n-канальный. Концентрация атомов примеси в подзатворной области Nа =1018см –3. Концентрация атомов примеси в канале Nd = Nж 1016 см -3, где Nж – номер фамилии студента в журнале группы. Толщина канала d0 = 1 мкм. Длина канала L = 20 мкм. Ширина канала W = 500 мкм. Подвижность электронов в канале μn = 1200 см2/ВсЗадание № 6
1. Провести расчет основных параметров МДП транзистора: UПОР, СД, b. 2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ= UПОР и UЗ= 2 UПОР и передаточную ВАХ для области насыщения. Данные к расчету Материал – кремний, тип МДП-транзистора – p-канальный. Концентрация атомов примеси в подложке Nd = Nж 1015 см -3, где Nж – номер фамилии студента в журнале группы. Длина канала L = 10 мкм. Ширина канала W = 100 мкм. Толщина подзатворного диэлектрика tд = 0,2 мкм. Подвижность дырок в канале μp = 200 см2/Вс Удельный поверхностный заряд Qпов = 2 10-8 Кл/см2
О сайте
Ссылка на первоисточник:
https://mgou.ru
Поделитесь в соцсетях: