Автор статьи
Валерия
Эксперт по сдаче вступительных испытаний в ВУЗах
- Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p-n + переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3. Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
- Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013 .
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
- Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т= 350 К.
- Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
- Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p-n +переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3.Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
- Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим коллектором, если коэффициент усиления по току равен 36, а входное сопротивление составляет 10Ом (Ku=55).
- Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм..
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
- Определите высоту потенциального барьера на симметричном p-n переходе на кремниевой базе при комнатной температуре, концентрация донорной примеси 1012 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 1,4∙1010.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
- Оценить (в эВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 1А.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 150К ниже комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,9мкм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p-n+переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3.Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
- Оценить (в МэВ) минимальную энергию электрона, локализованного в области с размерами 10 ферми.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при температуре на 50К выше комнатной, если длина волны излучения п/п лазера 0,85 мкм.
- Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при уменьшении температуры в 1,15 раза, его удельное сопротивление увеличилось в шесть раз. Начальная температура образца Т = 300 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p-n+переходе на базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь превышает акцепторную в 1,2, а концентрация донорной примеси 108 см-3.Концентрация собственных носителей в арсениде галия 1,8∙106.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общей базой, если коэффициент усиления по току равен 0,95, а входное сопротивление составляет 1Ом (Ku=30).
- Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
- Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм. 3. Определить ширину запрещенной зоны собственного полупроводника, если при увеличении температуры в 1,05 раза, его удельное сопротивление уменьшилось в четыре раза. Начальная температура образца Т = 300 К.
- Определите высоту потенциального барьера на p+-n переходе на германиевой базе при комнатной температуре, если акцепторная примесь превышает донорную в 1,5 раза, а концентрация донорной примеси 1015 см-3. Концентрация собственных носителей в германии 2,4∙1013.
- Определить сопротивление нагрузки для транзистора в схеме с общим эмиттером, если коэффициент усиления по току равен 45, а входное сопротивление составляет 5Ом (Ku=50).
О сайте
Ссылка на первоисточник:
http://www.vpmt.ru
Поделитесь в соцсетях: