Автор статьи
Валерия
Эксперт по сдаче вступительных испытаний в ВУЗах
- Провести расчет основных параметров транзистора: αN, αI, IЭ0, IК0.
- Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при IЭ=0; 2 мА; 10 мА.
Решение
Коэффициент диффузии электронов в кремнии:
Ток насыщения коллектора: 
Уравнения входной и выходной характеристик транзистора, полученные путем анализа модели Эберса-Молла: 
Где: φT=0,025 В при комнатной температуре. Используя приведенные соотношения строим графики входной характеристики при UБК=10 В (рисунок 1) и семейство выходных характеристик (рисунок 2) при указанных в задании значениях входных токов.
Рисунок 1 – Входная характеристика транзистора
Рисунок 2 – Выходные характеристики транзистора
Задание №4
Текст задания Пользуясь параметрами транзистора, рассчитанными в задании №3, рассчитать входную ВАХ транзистора в схеме включения с ОЭ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при Iб=0; 10 мка; 50 мкА. Исходные данные Тип транзистора p—n—p, материал – кремний.
Решение
Предварительно определяем значения коэффициентов передачи тока базы при нормальном и инверсном включении транзистора:
Принимая φT=0,025 В и UКЭ=10 В строим входную характеристику транзистора – рисунок 3.
Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора
Соотношение для выходных характеристик при схеме включения с ОЭ имеет вид: 
Строим семейство выходных характеристик транзистора при заданных значениях базового тока – рисунок 4.
Рисунок 4 – Семейство выходных характеристик транзистора
О сайте
Ссылка на первоисточник:
https://hspm.ru/
Поделитесь в соцсетях: