Тест по инженерии. ТПУ

Вопрос № 1 Вероятность заполнения дыркой энергетического уровня при температуре определяется Ответ студента: 1. 2. 3. 4. Верно ( + 1 балл) Вопрос № 2 Инжекция носителей заряда происходит при Ответ студента: 1. прямом напряжении и увеличении высоты потенциального барьера. 2. прямом напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера; 3. обратном напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера; 4. обратном напряжении и увеличении высоты потенциального барьера; Верно ( + 1 балл) Вопрос № 3 Изменится ли пробивное напряжение кремниевого диода с увеличением температуры от Ответ студента: 1. не изменится. 2. уменьшится; 3. увеличится; Верно ( + 1 балл) Вопрос № 4 При какой схеме включения транзистора коэффициент усиления по мощности меньше или равен единице? Ответ студента: 1. во всех случаях он меньше единицы. 2. с общим эмиттером; 3. с общим коллектором; 4. с общей базой; 5. во всех случаях он больше единицы; Верно ( + 1 балл) Вопрос № 5 Семейство, каких характеристик можно получить для схемы с общим эмиттером, меняя ? Ответ студента: 1. выходных характеристик; 2. характеристик передачи по току. 3. входных характеристик; Неверно Вопрос № 6 Выходные характеристики полевого транзистора Ответ студента: 1. 2. 3. 4. Верно ( + 1 балл) Вопрос № 7 Какое влияние на работу МДП-транзистора оказывает рост температуры его структуры: Ответ студента: 1. приводит к увеличению сопротивления канала и уменьшению тока; 2. приводит к уменьшению сопротивления канала и росту тока; 3. не влияет на его работу; 4. это зависит от типа полупроводниковой структуры. Неверно Вопрос № 8 Можно ли использовать неосвещенный фототранзистор в обычном усилительном режиме? Ответ студента: 1. да; 2. нет; 3. это зависит от конструкции фототранзистора. Верно ( + 1 балл) Вопрос № 9 При создании полупроводниковых приборов применяются Ответ студента: 1. емкостное свойство; 2. тепловой пробой; 3. вентильное свойство; 4. поверхностный пробой. Верно ( + 2 балла) Вопрос № 10 Диоды, используемые для стабилизации напряжения Ответ студента: 1. туннельные диоды. 2. стабилитроны; 3. варикапы; 4. обращенные диоды; 5. стабисторы; Верно ( + 2 балла) Вопрос № 11 Схемы усилительных каскадов имеющие фазовый сдвиг между Uвых и Uвх равный нулю Ответ студента: 1. схема с общей базой; 2. схема с общим эмиттером. 3. схема с общим коллектором; Верно ( + 2 балла) Вопрос № 12 Внешний фотоэффект лежит в основе работы приборов Ответ студента: 1. фоторезистора; 2. фотоэлемента; 3. фототранзистора; 4. светодиода; 5. фотоэлектронного умножителя. Верно ( + 2 балла) Вопрос № 13 Установите последовательность шнурования электрического тока в полупроводнике Ответ студента: нагрев полупроводника; уменьшение сопротивления в локальной области полупроводника; дальнейший нагрев и увеличение тока. сосредоточивание основного тока в локальной области; Выбран из вариантов: 1. нагрев полупроводника; 2. уменьшение сопротивления в локальной области полупроводника; 3. дальнейший нагрев и увеличение тока. 4. сосредоточивание основного тока в локальной области; Неверно Вопрос № 14 Установите последовательность образования невыпрямляющего электрического перехода в контакте полупроводников с одним типом проводимости, отличающиеся концентрацией примеси Ответ студента: образование диффузионного электрического поля и контактной разности потенциалов переход носителей заряда из области с большой концентрацией в область с меньшей концентрацией возникновение объемных зарядов из нескомпенсированных зарядов ионов примесей Выбран из вариантов: 1. возникновение объемных зарядов из нескомпенсированных зарядов ионов примесей 2. переход носителей заряда из области с большой концентрацией в область с меньшей концентрацией 3. образование диффузионного электрического поля и контактной разности потенциалов Неверно Вопрос № 15 Установите последовательность переходных процессов в биполярном транзисторе, переключаемом в режим насыщения, а затем в режим отсечки Ответ студента: инжекция носителей заряда через эмиттерный переход перемещение носителей заряда в базовой области накопление заряда в базе ток коллектора насыщения подержание тока коллектора смещение эмиттерного перехода в обратном направлении рассасывание заряда в базе нулевое значение коллекторного тока Выбран из вариантов: 1. инжекция носителей заряда через эмиттерный переход 2. подержание тока коллектора 3. накопление заряда в базе 4. рассасывание заряда в базе 5. перемещение носителей заряда в базовой области 6. смещение эмиттерного перехода в обратном направлении 7. ток коллектора насыщения 8. нулевое значение коллекторного тока Неверно Вопрос № 16 Установите последовательность отпирания однооперационного тиристора Ответ студента: подача сигнала управления усиление тока транзистором VT1 усиление тока управления транзистором VT2 лавинообразное усиление тока вхождение транзисторов режим насыщения Выбран из вариантов: 1. вхождение транзисторов режим насыщения 2. усиление тока транзистором VT1 3. лавинообразное усиление тока 4. усиление тока управления транзистором VT2 5. подача сигнала управления Неверно Вопрос № 17 Установите соответствие Наименование схемы: 1. дифференцирующий усилитель; 2. неинвертирующий усилитель; 3. логарифмирующий усилитель. Схема Ответ студента: 1: . 2: 3: Выбран из вариантов: . Верно ( + 3 балла) Вопрос № 18 Установите соответствие Наименование прибора: 1. запираемый тиристор; 2. тринистор с управлением по аноду; 3. симистор. Обозначение: Ответ студента: 1: 2: 3: Выбран из вариантов: Верно ( + 3 балла) Вопрос № 19 Определите величину тока смещения, если напряжение , балластное сопротивление , величина напряжения источника . Ответ студента: 8,5мА Частично верный ( + 2.2 балла) Вопрос № 20 Определите крутизну характеристики управления полевого транзистора, если